2019
2019
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
荣誉资质
发展历程
2020
2020
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
2021
2021
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
2022
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
2023
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
2024
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投产IGBT模块封测线竣工
销售IGBT芯片
量产IGBT模块，并送样客户测试
研发&制造
设计中心
瑞士兰兹伯格
技术研发团队汇聚来自欧洲及国内领先企业的IGBT、SiC设计与制造专家，核心成员深耕功率半导体领域数十年，具备丰富的研发与产业化实践经验；依托专业的设计研发中心与测试实验室，持续提升产品研发、测试验证与技术创新能力。
制造中心
浙江省嘉兴市嘉善县
制造中心一期项目占地约2.2万平方米（34亩），二期项目占地约5万平方米，整体规划建设多条国际一流水平的全自动智能IGBT、SiC生产线及国内技术中心；其中规划建设8条大功率模块封测线，目前已有2条投产、2条在建，持续提升智能制造与规模化交付能力。
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关于赛晶半导体
国家级“专精特新”小巨人企业
赛晶半导体专注于IGBT、FRD、SiC芯片及功率模块的研发、制造与销售，为新能源、工业控制、储能、轨道交通及新能源汽车等领域提供高效、可靠的功率半导体产品与解决方案。
依托先进芯片技术、智能制造体系和专业研发团队，持续提升能源转换效率，驱动绿色能源与高效工业发展。
22,000 ㎡
一期制造中心
30+
IGBT模块型号
50+
年度新增客户
300A
第七代芯片能力
2019年
功率半导体项目启航
核心技术与制造优势
从自主芯片研发到模块封测，构建高性能功率半导体核心能力
设备工业4.0 全自动化智能制造
设备配备全球领先的全自动生产线与智能化管理系统
效益显著提升生产效率与质量管控，保障产品高一致性、高稳定性
芯片国内稀缺、国际领先的芯片技术
研发设计拥国际一流、国内顶尖的高端 IGBT 芯片正向研产能力
自主可控实现芯片自主可控并对外销售，摆脱国外供应依赖
模块高可靠高一致，高品质模块技术
设计策略区别于国内模仿模式，依托强劲正向设计实力，优化创新主流模块设计
产品性能产品性能达国际同类水准，部分指标实现超越
