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IGBT模块

覆盖 1050V–2300V 电压平台及 200A–1800A 电流等级,支持单管、半桥、三电平A-NPC、H桥、斩波、Six-pack及PIM等多种拓扑结构。基于i20、i21、i23、i25、i26芯片平台,提供ED、ST、FP、TF、EP、XP等系列封装,满足不同功率等级与系统架构需求。

SiC模块

覆盖 1200V及2300V 高压平台,提供 1.1mΩ–4mΩ 多种低导通电阻规格,基于m22、m23、m24 SiC芯片平台开发。产品涵盖HEEV、EVD、Easy2B、XP、Tpak等封装系列,为高效率、高功率密度的功率转换系统提供更多选择。

分立器件

覆盖 650V–2000V 电压平台,提供多种电流及导通电阻规格,并构建TO220、TO247、TO252、TO263、TOLL、TOLT、QDPAK、T2PAK及SMA/SMB等丰富封装体系,可灵活匹配不同功率等级、安装方式与系统设计需求。

芯片

构建覆盖 1050V–2300V 的功率半导体芯片平台,涵盖i20–i26、m22–m24及s22–s25等多代产品系列,并具备 Trench、Micro-Trench及Planar 等技术路线,为IGBT、SiC及分立器件产品开发提供核心芯片支撑。
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