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SIS0150C120i20

SIS0150C120i20

i20系列低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组

产品参数

  • VCEs
    1200V
  • 最高结温(Tvj)
    175℃
  • IC
    150A
  • 芯片面积
    10.5mm×10.5mm
  • VCEsat(Tvj = 25℃ typ)
    1.7V
  • 技术
    i20系列

文档

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