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SIS0200C120i21

SIS0200C120i21

i20系列低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组

产品参数

  • VCEs
    1200V
  • 最高结温(Tvj)
    175℃
  • IC
    200A
  • 芯片面积
    12.8mm×12.1mm
  • VCEsat(Tvj = 25℃ typ)
    1.48V
  • 技术
    i20系列

文档

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