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SIS0200C120i23

SIS0200C120i23

i23系列超低损耗精细微沟槽栅型IGBT芯片组

产品参数

  • VCEs
    1200V
  • 最高结温(Tvj)
    175℃
  • IC
    200A
  • 芯片面积
    11.5mm×11.5mm
  • VCEsat(Tvj = 25℃ typ)
    1.55V
  • 技术
    i23系列

文档

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