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SIS0100C175i20

SIS0100C175i20

i20系列低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组

产品参数

  • VCEs
    1700V
  • 最高结温(Tvj)
    175℃
  • IC
    100A
  • 芯片面积
    10.1mm×10.1mm
  • VCEsat(Tvj = 25℃ typ)
    1.65V
  • 技术
    i20系列

文档

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