首页 > 产品中心 > 芯片 > SIS0200C175i20
SIS0200C175i20

SIS0200C175i20

i20系列低损耗精细沟槽栅型IGBT芯片组

产品参数

  • VCEs
    1700V
  • 最高结温(Tvj)
    175℃
  • IC
    200A
  • 芯片面积
    15.8mm×12.1mm
  • VCEsat(Tvj = 25℃ typ)
    1.65V
  • 技术
    i20系列

文档

    没有数据