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SiSD0800ST120i23_D01

SiSD0800ST120i23_D01

i23精细微沟槽栅系列IGBT模块,行业标准封装

产品参数

  • IC(nom) / IF(nom)
    800A
  • 最高 IC
    800A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55V
  • VCES / VRRM
    1200V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.58V
  • 封装
    ST
  • 尺寸 (length)
    106.4mm
  • 尺寸 (width)
    61.4mm
  • 技术
    i23-精细微沟槽栅
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • 最高 电压等级
    1200V
  • 质量等级
    工业级

文档

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