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SISD1600XP230i26

SISD1600XP230i26

i26超低损耗微沟槽栅系列IGBT模块,Si3N4陶瓷基板,行业标准封装

产品参数

  • IC(nom) / IF(nom)
    1600A
  • 最高 IC
    1600A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.9V
  • VCES / VRRM
    2300V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.55V
  • 封装
    XP
  • 尺寸 (length)
    144mm
  • 尺寸 (width)
    99.8mm
  • 技术
    i26-超精细微沟槽栅
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • 最高 电压等级
    2300V
  • 质量等级
    工业级

文档

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