首页 > 产品中心 > SiC模块 > SCSD0033ES120m23
SCSD0033ES120m23

SCSD0033ES120m23

m23超低RDSon平面栅系列SiC MOSFET模块,符合RoHS标准

产品参数

  • RDSon(@Tj = 25℃)
    3.3mΩ
  • 技术
    m23-平面栅SiC
    MOSFET
  • VDSS
    1200V
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • 封装
    ES
  • 最高电压等级
    1200V
  • 质量等级
    工业级
  • 尺寸(length)
  • 尺寸(width)

文档

    没有数据