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SCSD002HEEV120mS

SCSD002HEEV120mS

超低损耗半桥封装SiC MOSFET模块,车规级

产品参数

  • RDSon(@Tj = 25℃)
    2.1mΩ
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • VDSS
    1200V
  • 最高电压等级
    1200V
  • 封装
    HEEV
  • 质量等级
    汽车级
  • 尺寸(length)
    58.55mm
  • 尺寸(width)
    56.25mm

文档

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