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SCSD0011XP230m23

SCSD0011XP230m23

m23超低RDSon平面栅系列SiC MOSFET模块,Si3N4陶瓷基板,行业标准封装

产品参数

  • RDSon(@Tj = 25℃)
    1.1mΩ
  • 技术
    m23-平面栅SiC
    MOSFET
  • VDSS
    2300V
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • 封装
    XP
  • 最高电压等级
    2300V
  • 尺寸(length)
    144mm
  • 质量等级
    工业级
  • 尺寸(width)
    99.8mm

文档

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